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2019年EDA365年度技術峰會
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Fly-by與T結構

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  • TA的每日心情
    開心
    2019-12-8 15:00
  • 簽到天數: 3 天

    [LV.2]偶爾看看I

    跳轉到指定樓層
    1#
    發表于 2019-11-30 03:31 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式

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    本帖最后由 [email protected] 于 2019-11-30 03:30 編輯
    9 @: h6 c% s, x7 _6 m3 P" {& s+ U1 f! U7 n% T' t
    并不是所有的DDR都可以走Fly-by,板載DDR設計需要注意幾點
    1.   走fly-by拓撲,需要明確清楚CPU支持Write leveling功能,或者Design Guide明確可以走Fly-by。
    2.   如果原理圖設計上,地址線沒有上拉到VTT的電阻,就不能走Fly-by,只能走T。
    3.   如果一個Rank設計了2條以上的時鐘,需要走T。

    * C, K- q$ d# e( V! z, g2 S8 m
    8 W& m* ^; U+ H& R( }1 A
      消費費類,要節省成本,另一方面,T不加上拉,省電/如果CPU不支持Fly-by,很多時候地址線依然有上拉到VTT的電阻,這種情況拓撲也只能走T,電阻上拉的位置在T點上  這個上拉電阻的作用主要是改善波形質量.

    # U0 y* c# @% G
    ) A/ @6 b# Y# x. T
    . D% D* g5 i* Z3 X! D

    . ^+ |% O. L: z8 N& ~

    7.png (299.58 KB, 下載次數: 0)

    7.png

    9.png (47.27 KB, 下載次數: 0)

    9.png
  • TA的每日心情
    開心
    2019-12-8 15:00
  • 簽到天數: 3 天

    [LV.2]偶爾看看I

    2#
     樓主| 發表于 2019-11-30 03:32 | 只看該作者
    支持6號作品、加油
  • TA的每日心情

    2019-12-17 15:16
  • 簽到天數: 16 天

    [LV.4]偶爾看看III

    3#
    發表于 2019-11-30 11:37 | 只看該作者
    支持6號作品、加油
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